微电子器件中包括大量不同的微观元件与器件结构，在受到静电作用时发生器件失效的风险也各不相同。例如，IC中连接die pads与封装外部leads的焊线，静电放电产生的ESD电流幅值越大，则焊线因电致焦耳热作用的熔断失效风险就越高；而IC中的绝缘膜层，则是在其受到电场作用的强度越高时，膜层发生击穿失效的风险就会越高。

在各种微电子器件的生产制造阶段中，静电则主要通过以下几种形式对微电子器件构成不良失效（功能失效或工作可靠性下降）：

一，静电主要来自于其他物体上，通过接触到微电子器件（尤其是电气管脚或引线）时，通过静电放电（ESD，Electro-Static Discharge）的过程，导致微电子器件内部特定结构损坏而失效。